Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1982, том 9, номер 3, страницы 625–628 (Mi qe12202)  

Краткие сообщения

Исследование химического HF-лазера на смеси H2–SF6 высокого давления

А. С. Башкин, А. Н. Ораевский, В. Н. Томашов, Н. Н. Юрышев

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Исследованы энергетические характеристики химического HF-лазера на смеси H2–SF6, возбуждаемого пучком релятивистских электронов. Получена эффективная генерация при давлении смеси до 4,5 атм. При давлении смеси 1,5 атм получен удельный энергосъем 50 Дж/л. Отмечается возможность плавной перестройки частоты генерации в пределах 2,2 см–1 около центра каждой из колебательно-вращательных линий, что позволяет создать мощный перестраиваемый лазер, необходимый в лазерохимических исследованиях.
Поступила в редакцию: 07.07.1981
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1982, Volume 12, Issue 3, Pages 384–387
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1982v012n03ABEH012202
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.55.Ks


Образец цитирования: А. С. Башкин, А. Н. Ораевский, В. Н. Томашов, Н. Н. Юрышев, “Исследование химического HF-лазера на смеси H2–SF6 высокого давления”, Квантовая электроника, 9:3 (1982), 625–628 [Sov J Quantum Electron, 12:3 (1982), 384–387]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe12202
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v9/i3/p625
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024