Оптический пробой поверхности щелочно-галоидных кристаллов микросекундными импульсами широкоапертурного СО2-лазера

Исследована динамика временных и пространственных изменений спектральных характеристик плазменных образований. Предложен трехстадийный механизм разрушения поверхности щелочно-галоидных кристаллов микросекундными импульсами ТЕА СО₂-лазера: зарождение пробоя (на расстоянии 3 — 5 мм от поверхности с временной задержкой относительно переднего фронта лазерного импульса до 1 мкс), испарение (с задержкой еще на 3 — 5 мкс) и взаимодействие адсорбентов с плазменным факелом и лазерным излучением, а также нагрев и растрескивание кристалла под действием УФ излучения плазмы.