Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 12, страницы 2604–2607 (Mi qe12158)  
Краткие сообщения

Двухбайтовое возбуждение ядра

И. В. Краснов, Н. Я. Шапарев

Институт физики им. Л. В. Киренского СО АН СССР, Красноярск
PDF полного текста (564 kB)
Аннотация: Рассматривается двухфотонное поглощение излучения в ядре во встречных потоках γ-квантов. Сечение поглощения имеет два максимума, удаленных друг от друга на величину энергии отдачи. Высокий максимум с шириной Γ, определяемой радиационным затуханием, связан с безотдаточным поглощением; низкий максимум с шириной, определяемой эффектом Допплера, описывает поглощение при наличии отдачи. Присутствие низкого максимума позволяет достигать малых значений параметра Γ/ω.
Поступила в редакцию: 14.04.1975
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, Volume 5, Issue 12, Pages 1420–1422
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1975v005n12ABEH012158
Тип публикации: Статья
УДК: 539.166.2
PACS: 23.20.-g


Образец цитирования: И. В. Краснов, Н. Я. Шапарев, “Двухбайтовое возбуждение ядра”, Квантовая электроника, 2:12 (1975), 2604–2607 [Sov J Quantum Electron, 5:12 (1975), 1420–1422]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe12158
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v2/i12/p2604
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024