|
Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 11, страницы 2493–2498
(Mi qe12131)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Вклад термоупругих напряжений в dn/dT кристаллов гексагональной и тригональной симметрии, нагретых излучением лазера
Э. К. Малдутис, Ю. И. Рекснис, С. В. Сакалаускас Институт физики полупроводников АН ЛитССР, Вильнюс
Аннотация:
Получены аналитические выражения для термоупругих напряжений и рассчитано изменение показателя преломления, определяемое термонапряжениями для кристаллов гексагональной и тригональной симметрии при их локальном нагреве лазерным лучом, распространяющимся вдоль оптической оси кристаллов. Приведены численные оценки для кристаллов LiNbO3 z-среза, которые часто используются в качестве модуляторов излучения. Показано, что возникающие термоупругие напряжения для LiNbO3 увеличивают dn/dT, измеренный при однородном нагреве, на 47%.
Поступила в редакцию: 23.06.1975
Образец цитирования:
Э. К. Малдутис, Ю. И. Рекснис, С. В. Сакалаускас, “Вклад термоупругих напряжений в dn/dT кристаллов гексагональной и тригональной симметрии, нагретых излучением лазера”, Квантовая электроника, 2:11 (1975), 2493–2498 [Sov J Quantum Electron, 5:11 (1975), 1358–1361]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe12131 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v2/i11/p2493
|
|