|
Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 4, страницы 358–360
(Mi qe1205)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Управление параметрами лазерного излучения
Влияние поляризации накачки на характеристики излучения кольцевого Nd:YAG-чип-лазера
Р. В. Гойдинa, В. С. Кичукb, Н. В. Кравцовb, Г. Д. Лаптевa, Е.Г. Ларионцевb, В. В. Фирсовb a Международный учебно-научный лазерный центр МГУ им. М. В. Ломоносова
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына
Аннотация:
Впервые экспериментально обнаружена зависимость порога генерации, мощности, спектра и азимута поляризации излучения кольцевого Nd:YAG -чип-лазера от азимута линейной поляризации излучения накачки. Предпринята попытка качественного объяснения зависимости порога генерации кольцевого чип-лазера от азимута поляризации излучения накачки.
Поступила в редакцию: 11.12.1997
Образец цитирования:
Р. В. Гойдин, В. С. Кичук, Н. В. Кравцов, Г. Д. Лаптев, Е.Г. Ларионцев, В. В. Фирсов, “Влияние поляризации накачки на характеристики излучения кольцевого Nd:YAG-чип-лазера”, Квантовая электроника, 25:4 (1998), 358–360 [Quantum Electron., 28:4 (1998), 347–349]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1205 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v25/i4/p358
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 247 | PDF полного текста: | 110 | Первая страница: | 1 |
|