Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 11, страницы 2337–2343 (Mi qe12002)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Порог генерации в вязких активных средах при наличии наведенного поглощения на длине волны генерации

Г. А. Абакумов, Л. Т. Макарова, А. П. Симонов

Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова, Москва
Аннотация: Проведен расчет порога генерации в растворах органических красителей в зависимости от величины коэффициента диффузии, интенсивности наведенного синглет-синглетного или триплет-триплетного поглощения на длине волны генерации, крутизны фронта импульса-накачки и других параметров. Показано, что в случае, когда дипольный момент флуоресцентного перехода перпендикулярен дипольным моментам переходов наведенного синглет-синглетного или триплет-триплетного поглощения, порог генерации в вязких растворах значительно ниже, чем в текучих. Предельная величина отношения поперечного сечения синглет-синглетного поглощения к сечению вынужденного испускания, при котором молекула становится негенерирующей, возрастает от 1 до 3 при изменении коэффициента вращательной диффузии от ∞ до 0.
Поступила в редакцию: 15.09.1975
Исправленный вариант: 03.03.1976
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, Volume 6, Issue 11, Pages 1272–1275
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1976v006n11ABEH012002
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.8:535.35
PACS: 78.45.+h, 32.20.Jx, 42.60.Eb


Образец цитирования: Г. А. Абакумов, Л. Т. Макарова, А. П. Симонов, “Порог генерации в вязких активных средах при наличии наведенного поглощения на длине волны генерации”, Квантовая электроника, 3:11 (1976), 2337–2343 [Sov J Quantum Electron, 6:11 (1976), 1272–1275]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe12002
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v3/i11/p2337
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024