|
Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 10, страницы 2302–2303
(Mi qe11974)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком на In As и PbxSn1–xSe
Ю. А. Акимов, Е. Б. Бендовский, А. А. Буров, Е. А. Загаринский, Ю. В. Клевков, И. В. Крюкова, В. И. Лескович, Б. М. Степанов, В. А. Чапнин Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений, Москва
Аннотация:
Сообщается об изготовлении отпаянных полупроводниковых квантовых генераторов с электронным возбуждением на основе InAs и PbxSn1–xSe с длиной волны излучения 3,04 и 10,6 мкм и импульсной мощностью 10 Вт и 20 мВт соответственно. Режим работы обоих приборов: длительность импульса 100 нс, частота повторения импульсов 100 Гц.
Поступила в редакцию: 21.01.1976
Образец цитирования:
Ю. А. Акимов, Е. Б. Бендовский, А. А. Буров, Е. А. Загаринский, Ю. В. Клевков, И. В. Крюкова, В. И. Лескович, Б. М. Степанов, В. А. Чапнин, “Полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком на In As и PbxSn1–xSe”, Квантовая электроника, 3:10 (1976), 2302–2303 [Sov J Quantum Electron, 6:10 (1976), 1257–1258]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe11974 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v3/i10/p2302
|
|