Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 4, страницы 308–314 (Mi qe1195)  

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Элементы лазерных установок

Мощные высокоэффективные KrF-лампы с возбуждением скользящим и барьерным разрядами

В. М. Борисов, В. А. Водчиц, А. В. Ельцов, О. Б. Христофоров

Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований
Аннотация: Исследованы характеристики KrF-ламп с различными режимами возбуждения скользящего (СР) и барьерного (БР) разрядов при использовании в качестве материала диэлектрика сапфира. Определены условия, при которых достигается экстремально высокий выход флуоресценции KrF* (внутренняя эффективность) ηin ≈ 30 и 22% для импульсных СР и БР соответственно. Показано, что однородная форма СР сохраняется без продува газа при частоте следования импульсов 5·104 Гц. При квазинепрерывном возбуждении СР около атмосферного давления получена близкая к граничной по кинетике газовой среды плотность мощности флуоресценции KrF* около 80 Вт/см3. Установлено, что при долговременном возбуждении ограничение интенсивности УФ излучения определяется допустимым нагревом газа до определенной температуры, свыше которой происходит резкое уменьшение времени жизни фторсодержащей газовой смеси. Это определяет преимущества применения СР, характеризующегося высокой теплопроводностью тонкого (~0.2 мм) слоя плазмы на поверхности охлаждаемого диэлектрика, при создании мощных высокоэффективных KrF- и ArF-ламп с интенсивностью УФ излучения до 1 Вт/см2.
Поступила в редакцию: 08.12.1997
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1998, Volume 28, Issue 4, Pages 297–303
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1998v028n04ABEH001195
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.72.Bj, 33.50.Dq, 52.80.Tn


Образец цитирования: В. М. Борисов, В. А. Водчиц, А. В. Ельцов, О. Б. Христофоров, “Мощные высокоэффективные KrF-лампы с возбуждением скользящим и барьерным разрядами”, Квантовая электроника, 25:4 (1998), 308–314 [Quantum Electron., 28:4 (1998), 297–303]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1195
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v25/i4/p308
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024