|
Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 9, страницы 1997–2002
(Mi qe11909)
|
|
|
|
Экспериментальное исследование кинетики образования возбужденных молекул Xe2 в ОКГ на сжатом ксеноне
М. Д. Баранов, С. Г. Бурдин, В. А. Данилычев, О. М. Керимов Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР
Аннотация:
Получены температурные зависимости констант скоростей образования возбужденных димеров ксенона и тушения возбуждения. Экспериментальные значения константы скорости трехчастичного процесса образования возбужденных димеров хорошо описываются аналитической зависимостью ln (β/β0) = 0,39·105T–2+0,66 (β0 = 10–32 см6 с–1, T измерялась в K). Понижение температуры газа от 295 до 149 K приводит к уменьшению константы скорости тушения возбужденных атомов ксенона от α = (1,1 ± 0,2)·10–13 см3·с–1 до α~10–14 см3 с–1. Измеренное излучательное время жизни 3,1∑u+ состояния молекулы ксенона τ = 30 ± 10 нс.
Поступила в редакцию: 26.02.1975
Образец цитирования:
М. Д. Баранов, С. Г. Бурдин, В. А. Данилычев, О. М. Керимов, “Экспериментальное исследование кинетики образования возбужденных молекул Xe2 в ОКГ на сжатом ксеноне”, Квантовая электроника, 2:9 (1975), 1997–2002 [Sov J Quantum Electron, 5:9 (1975), 1084–1087]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe11909 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v2/i9/p1997
|
|