Оптически индуцированное изменение показателя преломления в сегнетоэлектрических кристаллах и его использование для создания обратимой голографической памяти (обзор)

Рассмотрены механизмы образования индуцированного светом изменения показателя преломления в сегнетоэлектрических кристаллах, в основу которых положены модели Чена, Джонстона, Амодея и Гласса, показаны их различие и сходство, приведены соотношения, связывающие изменения показателя преломления Δn с плотностью мощности излучения и с другими феноменологическими параметрами, удовлетворительно согласующиеся с экспериментальными данными. Рассмотрены методические вопросы измерения Δn, влияния на образование Δn легирующих добавок, термической и электрической обработок кристалла.