|
|
Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 9, страницы 1957–1962
(Mi qe11896)
|
 |
|
 |
Полупроводниковый лазер на GaAs с распределенной обратной связью и накачкой электронным пучком
Ю. А. Быковский, И. Г. Гончаров, К. Б. Дедушенко, А. В. Кожевников, В. Н. Лукьянов, А. Ф. Узкий, В. И. Швейкин, Н. В. Шелков, С. Д. Якубович
Аннотация:
Экспериментально исследованы пороговые и спектральные характеристики полупроводникового лазера с распределенной обратной связью (РОС) и накачкой электронным пучком. Путем сравнения экспериментальных результатов с теоретической моделью РОС для одномерной структуры определены параметры исследуемого лазера. Получено неравномерное распределение интенсивности излучения по длине активной области, предсказанное теоретической моделью.
Поступила в редакцию: 31.01.1975
Образец цитирования:
Ю. А. Быковский, И. Г. Гончаров, К. Б. Дедушенко, А. В. Кожевников, В. Н. Лукьянов, А. Ф. Узкий, В. И. Швейкин, Н. В. Шелков, С. Д. Якубович, “Полупроводниковый лазер на GaAs с распределенной обратной связью и накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 2:9 (1975), 1957–1962 [Sov J Quantum Electron, 5:9 (1975), 1063–1066]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe11896 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v2/i9/p1957
|
|
Обратная связь: