|
Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 9, страницы 2078–2080
(Mi qe11887)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Оптически управляемый элемент памяти на основе МНОП-структуры с подложкой из арсенида галлия
H. И. Буланьков, В. Д. Журавов, А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, Д. Н. Токарчук, Г. П. Ферчев Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Поступила в редакцию: 18.03.1976
Образец цитирования:
H. И. Буланьков, В. Д. Журавов, А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, Д. Н. Токарчук, Г. П. Ферчев, “Оптически управляемый элемент памяти на основе МНОП-структуры с подложкой из арсенида галлия”, Квантовая электроника, 3:9 (1976), 2078–2080 [Sov J Quantum Electron, 6:9 (1976), 1137–1139]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe11887 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v3/i9/p2078
|
|