Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 11, страницы 2399–2406 (Mi qe11868)  

Параметры лазера с электронной накачкой на арсениде галлия с двойным легированием

Н. А. Борисов, Б. М. Лаврушин, Л. В. Лебедева, С. С. Стрельченко

Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР
Аннотация: Исследовались компенсированные образцы арсенида галлия с двойным легированием: донорами (Те или Sn) и акцепторами (Zn). Показано, что при этом значительно снижается пороговая плотность тока и рабочее напряжение в лазерах с электронным возбуждением. Наименьшие значения порога генерации составляли 0,1 А/см2 при температуре T ≈ 85 K и 1,5 А/см2 при T ≈ 300 K. Максимальная эффективность достигала 30% при T ≈ 85 K и 21% при T ≈ 300 K. Благодаря созданию волноводной структуры резонатора эти значения jп и к. п. д. не меняются при уменьшении энергии электронов от 50 до ~25 кэВ. При дальнейшем уменьшении энергии электронов до 9 кэВ пороговая плотность тока возрастает до 1,5 А/см 2 (при T ≈ 85 K).
Поступила в редакцию: 03.06.1974
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, Volume 4, Issue 11, Pages 1332–1336
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1975v004n11ABEH011868
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.329
PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.60.Lh, 42.60.Da


Образец цитирования: Н. А. Борисов, Б. М. Лаврушин, Л. В. Лебедева, С. С. Стрельченко, “Параметры лазера с электронной накачкой на арсениде галлия с двойным легированием”, Квантовая электроника, 1:11 (1974), 2399–2406 [Sov J Quantum Electron, 4:11 (1975), 1332–1336]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11868
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v1/i11/p2399
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:120
    PDF полного текста:68
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024