|
Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 11, страницы 2399–2406
(Mi qe11868)
|
|
|
|
Параметры лазера с электронной накачкой на арсениде галлия с двойным легированием
Н. А. Борисов, Б. М. Лаврушин, Л. В. Лебедева, С. С. Стрельченко Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР
Аннотация:
Исследовались компенсированные образцы арсенида галлия с двойным легированием: донорами (Те или Sn) и акцепторами (Zn). Показано, что при этом значительно снижается пороговая плотность тока и рабочее напряжение в лазерах с электронным возбуждением. Наименьшие значения порога генерации составляли 0,1 А/см2 при температуре T ≈ 85 K и 1,5 А/см2 при T ≈ 300 K. Максимальная эффективность достигала 30% при T ≈ 85 K и 21% при T ≈ 300 K. Благодаря созданию волноводной структуры резонатора эти значения jп и к. п. д. не меняются при уменьшении энергии электронов от 50 до ~25 кэВ. При дальнейшем уменьшении энергии электронов до 9 кэВ пороговая плотность тока возрастает до 1,5 А/см 2 (при T ≈ 85 K).
Поступила в редакцию: 03.06.1974
Образец цитирования:
Н. А. Борисов, Б. М. Лаврушин, Л. В. Лебедева, С. С. Стрельченко, “Параметры лазера с электронной накачкой на арсениде галлия с двойным легированием”, Квантовая электроника, 1:11 (1974), 2399–2406 [Sov J Quantum Electron, 4:11 (1975), 1332–1336]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe11868 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v1/i11/p2399
|
|