Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 9, страницы 1932–1940 (Mi qe11837)  

Параметрический анализ импульсного H2–F2-лазера

В. Я. Агроскин, Б. Г. Бравый, В. И. Кирьянов, В. Л. Тальрозе

Институт химической физики АН СССР, Москва
Аннотация: Предложена параметрическая модель импульсного химического H2–F2-лазера, позволяющая рассчитать энергию генерации лазера в зависимости от начальных условий. Полученные экспериментальные данные удовлетворительно согласуются с результатами расчета. Проанализировано взаимное положение порогов фотоинициируемого взрыва и генерации лазера в зависимости от соотношения длительности инициирующего импульса и характеристического времени релаксации.
Поступила в редакцию: 16.01.1976
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, Volume 6, Issue 9, Pages 1053–1057
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1976v006n09ABEH011837
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.33
PACS: 42.60.Cz


Образец цитирования: В. Я. Агроскин, Б. Г. Бравый, В. И. Кирьянов, В. Л. Тальрозе, “Параметрический анализ импульсного H2–F2-лазера”, Квантовая электроника, 3:9 (1976), 1932–1940 [Sov J Quantum Electron, 6:9 (1976), 1053–1057]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11837
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v3/i9/p1932
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024