Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 3, страницы 217–220 (Mi qe1172)  

Лазеры

Зависимость параметров рекомбинационного рентгеновского лазера на переходе 3d5/2 — 2p3/2 иона C VI от длительности импульса накачки и размеров мишени

В. Д. Урлин, В. Ю. Кайнов, Д. Б. Масленников, Г. В. Долголева, Т. А. Четвергова

Российский федеральный ядерный центр — Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, г. Саров Нижегородской обл.
Аннотация: На основе программного комплекса СНД-ВЕГА проведено расчетное моделирование рентгеновского лазера с рекомбинационной накачкой на переходе 3 — 2 (λ = 18.2 нм) иона C VI. Плазма в расчетах создавалась облучением цилиндрической мишени излучением ряда гармоник неодимового лазера с различной длительностью и максимальной интенсивностью 6·1013 Вт/см2. Получены временные и пространственные зависимости локального и усредненного коэффициентов усиления от радиуса мишени и варьируемых параметров импульса Nd-лазера. Определены параметры, соответствующие максимальному коэффициенту усиления в исследованной области.
Поступила в редакцию: 31.03.1997
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1998, Volume 28, Issue 3, Pages 209–212
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1998v028n03ABEH001172
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Vc, 42.60.Lh, 52.25.Nr


Образец цитирования: В. Д. Урлин, В. Ю. Кайнов, Д. Б. Масленников, Г. В. Долголева, Т. А. Четвергова, “Зависимость параметров рекомбинационного рентгеновского лазера на переходе 3d5/2 — 2p3/2 иона C VI от длительности импульса накачки и размеров мишени”, Квантовая электроника, 25:3 (1998), 217–220 [Quantum Electron., 28:3 (1998), 209–212]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1172
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v25/i3/p217
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:142
    PDF полного текста:99
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024