|
Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 3, страницы 233–235
(Mi qe1168)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Активные среды
Рост и люминесценция эпитаксиальных пленок Yb0.3ErxGd2.7–xGa5O12
В. В. Рандошкин, А. М. Беловолов, М. И. Беловолов, Н. В. Васильева, Е. М. Дианов, К. В. Сташун, М. И. Тимошечкин Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Аннотация:
На подложках из Gd3Ga5O12 с ориентацией (111) методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава на основе PbO — B2O3 выращена серия пленок (Gd,Yb,Er)3Ga5O12, в которых варьировалось содержание Er. Изменение скорости роста пленок от образца к образцу при выращивании в одинаковых условиях объясняется деградацией раствора-расплава. Фиолетовая окраска первой пленки в серии связывается с повышенным вхождением в нее из раствора-расплава примесных ионов свинца и платины, а также с особенностями их зарядовой компенсации при высокой скорости роста. Люминесценция в сине-зеленой области спектра наблюдается при атомном содержании эрбия более 0.01%.
Поступила в редакцию: 17.07.1997
Образец цитирования:
В. В. Рандошкин, А. М. Беловолов, М. И. Беловолов, Н. В. Васильева, Е. М. Дианов, К. В. Сташун, М. И. Тимошечкин, “Рост и люминесценция эпитаксиальных пленок Yb0.3ErxGd2.7–xGa5O12”, Квантовая электроника, 25:3 (1998), 233–235 [Quantum Electron., 28:3 (1998), 225–227]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1168 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v25/i3/p233
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 244 | PDF полного текста: | 93 | Первая страница: | 1 |
|