Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 3, страницы 233–235 (Mi qe1168)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Активные среды

Рост и люминесценция эпитаксиальных пленок Yb0.3ErxGd2.7–xGa5O12

В. В. Рандошкин, А. М. Беловолов, М. И. Беловолов, Н. В. Васильева, Е. М. Дианов, К. В. Сташун, М. И. Тимошечкин

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Аннотация: На подложках из Gd3Ga5O12 с ориентацией (111) методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава на основе PbO — B2O3 выращена серия пленок (Gd,Yb,Er)3Ga5O12, в которых варьировалось содержание Er. Изменение скорости роста пленок от образца к образцу при выращивании в одинаковых условиях объясняется деградацией раствора-расплава. Фиолетовая окраска первой пленки в серии связывается с повышенным вхождением в нее из раствора-расплава примесных ионов свинца и платины, а также с особенностями их зарядовой компенсации при высокой скорости роста. Люминесценция в сине-зеленой области спектра наблюдается при атомном содержании эрбия более 0.01%.
Поступила в редакцию: 17.07.1997
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1998, Volume 28, Issue 3, Pages 225–227
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1998v028n03ABEH001168
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 81.15.Lm, 78.55.Hx, 78.66.Nk


Образец цитирования: В. В. Рандошкин, А. М. Беловолов, М. И. Беловолов, Н. В. Васильева, Е. М. Дианов, К. В. Сташун, М. И. Тимошечкин, “Рост и люминесценция эпитаксиальных пленок Yb0.3ErxGd2.7–xGa5O12”, Квантовая электроника, 25:3 (1998), 233–235 [Quantum Electron., 28:3 (1998), 225–227]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1168
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v25/i3/p233
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:251
    PDF полного текста:93
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024