Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 2, страницы 163–164 (Mi qe1165)  
Управление параметрами лазерного излучения

Механизм формирования незатухающих пульсаций вокруг нескольких равновесных состояний в лазере с насыщающимся поглотителем

Л. А. Котомцева, С. Г. Русов

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск
PDF полного текста (157 kB)
Аннотация: Для CO2-лазера с двумя продольными модами и насыщающимся поглотителем в резонаторе при численном моделировании получены регулярные режимы генерации колебаний интенсивности и обнаружена возможность переходов между тремя равновесными состояниями.
Поступила в редакцию: 19.08.1997
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1998, Volume 28, Issue 2, Pages 155–156
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1998v028n02ABEH001165
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh, 42.60.Rn


Образец цитирования: Л. А. Котомцева, С. Г. Русов, “Механизм формирования незатухающих пульсаций вокруг нескольких равновесных состояний в лазере с насыщающимся поглотителем”, Квантовая электроника, 25:2 (1998), 163–164 [Quantum Electron., 28:2 (1998), 155–156]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1165
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v25/i2/p163
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024