Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 8, страницы 1648–1653 (Mi qe11644)  
Полупроводниковый квантовый генератор на внутризонных переходах между магнитопленочными уровнями

А. Г. Алексанян, Р. Г. Аллахвердян, Ал. Г. Алексанян

Институт радиофизики и электроники АН АрмССР
PDF полного текста (705 kB)
Аннотация: Рассмотрен тонкопленочный полупроводниковый лазер. Вычислен коэффициент усиления для переходов между магнитопленочными уровнями. Рассчитаны пороговые условия генерации.
Поступила в редакцию: 30.12.1974
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, Volume 5, Issue 8, Pages 891–894
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1975v005n08ABEH011644
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.35
PACS: 42.60.J


Образец цитирования: А. Г. Алексанян, Р. Г. Аллахвердян, Ал. Г. Алексанян, “Полупроводниковый квантовый генератор на внутризонных переходах между магнитопленочными уровнями”, Квантовая электроника, 2:8 (1975), 1648–1653 [Sov J Quantum Electron, 5:8 (1975), 891–894]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11644
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v2/i8/p1648
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:101
    PDF полного текста:65
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024