Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 7, страницы 1575–1577 (Mi qe11590)  

Краткие сообщения

О влиянии поляризации накачки на порог четырехфотонной параметрической генерации света в газах

Ю. А. Ильинский, В. Д. Таранухин

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Аннотация: Теоретически изучены поляризационные особенности четырехфотонной параметрической генерации света (ЧПГС) в газах. Показано, что порог ЧПГС можно уменьшить в несколько раз за счет выбора оптимальной поляризации накачки и наиболее эффективных резонансных уровней.
Поступила в редакцию: 03.02.1975
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, Volume 5, Issue 7, Pages 855–857
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1975v005n07ABEH011590
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.33
PACS: 42.65.D


Образец цитирования: Ю. А. Ильинский, В. Д. Таранухин, “О влиянии поляризации накачки на порог четырехфотонной параметрической генерации света в газах”, Квантовая электроника, 2:7 (1975), 1575–1577 [Sov J Quantum Electron, 5:7 (1975), 855–857]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11590
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v2/i7/p1575
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:107
    PDF полного текста:49
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024