|
Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 2, страницы 151–154
(Mi qe1158)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Управление параметрами лазерного излучения
Релаксационные колебания излучения двухмикронного гольмиевого лазера на кристалле ИСГГ:Cr, Tm, Ho
А. Н. Алпатьев, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
Аннотация:
Получены и проанализированы аналитические выражения для параметров релаксационных колебаний непрерывного двухмикронного лазера на кристалле ИСГГ:Cr, Tm, Ho и проведено их количественное сравнение с аналогичными параметрами двухмикронного лазера на кристалле ИСГГ:Cr, Tm. Установлены существенные различия в декрементах затухания. Проведено сравнение экспериментальных и теоретических результатов. Дано объяснение различной динамики генерации лазеров на ионах Ho3+ и Tm3+.
Поступила в редакцию: 10.10.1997
Образец цитирования:
А. Н. Алпатьев, В. А. Смирнов, И. А. Щербаков, “Релаксационные колебания излучения двухмикронного гольмиевого лазера на кристалле ИСГГ:Cr, Tm, Ho”, Квантовая электроника, 25:2 (1998), 151–154 [Quantum Electron., 28:2 (1998), 143–146]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1158 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v25/i2/p151
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 176 | PDF полного текста: | 89 | Первая страница: | 1 |
|