Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 7, страницы 1548–1550 (Mi qe11564)  

Краткие сообщения

О возможности повышения предельной мощности генерации моноимпульсных ОКГ

В. Е. Матюшков, С. А. Михнов

Институт физики АН БССР
Аннотация: Для увеличения предельно возможной полезной мощности моноимпульсного ОКГ, определяемой порогом разрушения активного тела, предложено снижать коэффициент отражения выходного зеркала. Экспериментальная проверка проведена для ОКГ, выходным отражателем которого служил торец рубина РЛ 10Х 120/180. При этом получена полезная плотность мощности до 170 МВт/см2.
Поступила в редакцию: 20.10.1974
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, Volume 5, Issue 7, Pages 833–834
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1975v005n07ABEH011564
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.32
PACS: 42.60.G


Образец цитирования: В. Е. Матюшков, С. А. Михнов, “О возможности повышения предельной мощности генерации моноимпульсных ОКГ”, Квантовая электроника, 2:7 (1975), 1548–1550 [Sov J Quantum Electron, 5:7 (1975), 833–834]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11564
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v2/i7/p1548
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:118
    PDF полного текста:68
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024