|
Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 2, страницы 99–100
(Mi qe1156)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Письма в редакцию
Непрерывная трехмикронная генерация на новом лазерном кристалле BaLu2F8:Er3+ с полупроводниковой лазерной накачкой
А. А. Каминскийa, А. В. Буташинa, С. Н. Багаевb, Г. Й. Эйхлерc, Ю. Финдайзенc, У. Тауберc, Б. Лиуc a Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
b Институт лазерной физики СО РАН, г. Новосибирск
c Оптический институт Берлинского технического университета, Германия
Аннотация:
Разработан новый лазер на основе ромбического кристалла BaLu2F8:Er3+, непрерывно генерирующий излучение с λ = 3 мкм при 300 К с полупроводниковой (InGaAs) лазерной накачкой.
Поступила в редакцию: 30.10.1997
Образец цитирования:
А. А. Каминский, А. В. Буташин, С. Н. Багаев, Г. Й. Эйхлер, Ю. Финдайзен, У. Таубер, Б. Лиу, “Непрерывная трехмикронная генерация на новом лазерном кристалле BaLu2F8:Er3+ с полупроводниковой лазерной накачкой”, Квантовая электроника, 25:2 (1998), 99–100 [Quantum Electron., 28:2 (1998), 93–94]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1156 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v25/i2/p99
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 191 | PDF полного текста: | 83 | Первая страница: | 2 |
|