Температурная зависимость параметров лазерной генерации на бесфононных линиях примесных кристаллов

Теоретически рассмотрены особенности пороговых условий работы лазера на бесфононных линиях примесных кристаллов. Показано, что появление дальнего порядка в режиме лазерной генерации, соответствующее изменению статистики излучения, критически зависит не только от уровня накачки, но и от температуры кристалла. Исследована температурная зависимость интенсивности и ширины линии генерации. Сделаны оценки на примере ЦО в лейкосапфире.