|
Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 2, страницы 187–189
(Mi qe1155)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники
Усилительные свойства кристаллов LiF со стабилизированными $F^+_2$-центрами окраски
Т. Т. Басиевa, И. В. Ермаковa, В. А. Конюшкинa, К. К. Пуховa, М. Гласбикb a Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
b Laboratory for Physical Chemistry, University of Amsterdam, The Netherlands
Аннотация:
Исследованы усилительные свойства кристаллов LiF со стабилизированными $F^+_2$-центрами окраски с точки зрения их возможного использования в качестве усилителей слабых световых импульсов ИК излучения. В однопроходной схеме при накачке излучением второй гармоники импульсного Nd:YAG-лазера ($\lambda$ = 532 нм) достигнуто двадцатикратное оптическое усиление широкополосного наносекундного излучения ИК лазерного диода ($\lambda$ = 900 нм).
Поступила в редакцию: 16.10.1997
Образец цитирования:
Т. Т. Басиев, И. В. Ермаков, В. А. Конюшкин, К. К. Пухов, М. Гласбик, “Усилительные свойства кристаллов LiF со стабилизированными $F^+_2$-центрами окраски”, Квантовая электроника, 25:2 (1998), 187–189 [Quantum Electron., 28:2 (1998), 179–181]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1155 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v25/i2/p187
|
|