Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 3, страницы 640–642 (Mi qe11537)  

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

О влиянии паров воды на измерение показателя преломления поверхностного слоя LiNbO3 при высокотемпературном отжиге

К. С. Бурицкий, В. А. Черных

Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация: Исследована зависимость скорости образования волноводного слоя в ниобате лития от концентрации водяных паров в газовой среде, в которой происходит высокотемпературный отжиг. Впервые обнаружено образование «антиволноводного» слоя при отжиге кристаллов в атмосфере, не содержащей паров двуокиси лития, а также указано на существование оптимальной (для подавления обратной диффузии) концентрации паров воды.
Поступила в редакцию: 23.07.1987
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, Volume 18, Issue 3, Pages 411–413
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1988v018n03ABEH011537
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.372.8.029.7
PACS: 42.82.Et, 42.82.Cr, 42.82.Bq, 81.40.Gh


Образец цитирования: К. С. Бурицкий, В. А. Черных, “О влиянии паров воды на измерение показателя преломления поверхностного слоя LiNbO3 при высокотемпературном отжиге”, Квантовая электроника, 15:3 (1988), 640–642 [Sov J Quantum Electron, 18:3 (1988), 411–413]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11537
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i3/p640
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024