Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 3, страницы 622–624 (Mi qe11530)  

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Термокапиллярный механизм глубокого проплавления материалов лазерным излучением

Р. Д. Сейдгазов, Ю. М. Сенаторов

Научно-исследовательский центр по технологическим лазерам АН СССР, Троицк Моск. обл.
Аннотация: Экспериментально обнаружено образование нестационарного кратера при лазерном плавлении материалов. Выявлены три стадии развития кратера, отличающиеся гидродинамикой расплава, – рост кратера, возбуждение колебаний в слое расплава на стенках кратера и затекание. На основе результатов модельного эксперимента разработана теоретическая модель глубокого проплавления материалов лазерным излучением. Сравнение результатов расчета по полученной модели с экспериментом свидетельствует о ее работоспособности для металлов. Обнаружены колебания толщины пленки расплава на дне кратера при достижении им предельной глубины. Дана количественная и качественная интерпретация наблюдаемых колебаний возбуждением капиллярных волн.
Поступила в редакцию: 17.02.1987
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, Volume 18, Issue 3, Pages 396–398
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1988v018n03ABEH011530
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826:536.421.1
PACS: 42.62.Cf, 64.70.Dv


Образец цитирования: Р. Д. Сейдгазов, Ю. М. Сенаторов, “Термокапиллярный механизм глубокого проплавления материалов лазерным излучением”, Квантовая электроника, 15:3 (1988), 622–624 [Sov J Quantum Electron, 18:3 (1988), 396–398]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11530
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i3/p622
  • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:1012
    PDF полного текста:99
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024