Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 3, страницы 477–485 (Mi qe11502)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Лазеры

Расчетная оптимизация параметров СО–ГДЛ

Е. М. Черкасов, В. И. Чесноков

Институт общей физики АН СССР, Москва
Аннотация: Численно исследованы характеристики СО-ГДЛ на продуктах сгорания нитросоединений, содержащих в основном окись углерода и азот в соотношении CO:N2 = 2:1. Температура и давление торможения продуктов сгорания менялись в диапазонах T0 = 1.5–3 kK, p0 = 50–1000 атм. Показано, что, во-первых, максимум ненасыщенных коэффициентов усиления (КУ) достигается при T0 = 2,1 kK и p0 = 250 атм и составляет ~1 %/см; во-вторых, с точки зрения получения максимальных КУ и минимизации потерь полного запаса колебательной энергии при расширении в сопле степень расширения плоского профилированного сопла, равная 150, и длина его сверхзвуковой части ~1 м близки к оптимальным; в-третьих, функционирование СО-ГДЛ принципиально возможно при высоких давлениях рабочей смеси (вплоть до 1000 атм) и превышающих известные высоты сопла в критическом сечении.
Поступила в редакцию: 26.01.1987
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, Volume 18, Issue 3, Pages 301–306
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1988v018n03ABEH011502
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh, 02.60.Pn, 82.33.Vx


Образец цитирования: Е. М. Черкасов, В. И. Чесноков, “Расчетная оптимизация параметров СО–ГДЛ”, Квантовая электроника, 15:3 (1988), 477–485 [Sov J Quantum Electron, 18:3 (1988), 301–306]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11502
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i3/p477
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:125
    PDF полного текста:78
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024