Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 2, страницы 379–381 (Mi qe11484)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Нелинейно-оптические явления и устройства

Резонансное ВКР в NH3 с истощением излучения накачки и широким диапазоном перестройки частоты

А. Н. Бобровский, А. В. Кожевников, В. А. Мищенко, Г. Д. Мыльников, О. В. Шпилюн

Институт атомной энергии им. И. В. Курчатова, Москва
Аннотация: Реализован процесс попутного резонансного ВКР (РВКР) излучения TEA CO2-лазера в NH3 на переходе Gs (5, 0) → 1ν2s (5, 0). Получены четыре новые линии генерации в области длин волн 67 мкм. Область перестройки частоты дальнего ИК (ДИК) излучения составила 4,5 см–1. Мощность ДИК излучения достигла 2 МВт при квантовом КПД процесса 36%. Наблюдались истощение накачки, нестационарность процесса, асимметрия РВКР «вперед – назад». Исследуются различия характеристик РВКР на одном и трех проходах в многопроходной кювете. Зарегистрировано различие порогов ВКР для линейной и круговой поляризаций накачки.
Поступила в редакцию: 06.05.1987
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, Volume 18, Issue 2, Pages 239–241
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1988v018n02ABEH011484
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 42.55.Lt, 42.65.Dr, 42.60.Fc, 42.60.Jf


Образец цитирования: А. Н. Бобровский, А. В. Кожевников, В. А. Мищенко, Г. Д. Мыльников, О. В. Шпилюн, “Резонансное ВКР в NH3 с истощением излучения накачки и широким диапазоном перестройки частоты”, Квантовая электроника, 15:2 (1988), 379–381 [Sov J Quantum Electron, 18:2 (1988), 239–241]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11484
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i2/p379
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:133
    PDF полного текста:67
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024