Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 2, страницы 285–288 (Mi qe11468)  

Лазеры

О гарпунном канале образования эксимерных молекул в электроразрядном XeCl-лазере

Е. Б. Гордон, В. Г. Егоров, В. Т. Михкельсоо, С. Е. Наливайко, В. С. Павленко, В. Э. Пеэт, А. Б. Трещалов

Институт химической физики АН СССР, Черноголовка, Моск. обл.
Аннотация: Экспериментально выявлен гарпунный канал образования эксимерных молекул XeCl* и изучены некоторые его особенности при электроразрядном возбуждении смесей Cl2–Хе–He в камере стандартного эксимерного лазера ЭЛИ. Изучены временные зависимости спонтанного излучения молекул XeCl* и коэффициентов усиления и поглощения в зависимости от давлений Cl2 и Хе. Исследование показало, что, во-первых, гарпунный канал образования молекул XeCl* доминирует над ионно-рекомбинационным по крайней мере на фронте импульса разряда, причем роль его усиливается то мере уменьшения энерговклада, и, во-вторых, отсутствует дополнительное по сравнению со стандартными смесями на основе HCl, поглощение, не считая поглощения, обязанного присутствию Cl2.
Поступила в редакцию: 01.07.1987
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, Volume 18, Issue 2, Pages 180–182
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1988v018n02ABEH011468
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.823
PACS: 33.80.-b, 52.80.-s


Образец цитирования: Е. Б. Гордон, В. Г. Егоров, В. Т. Михкельсоо, С. Е. Наливайко, В. С. Павленко, В. Э. Пеэт, А. Б. Трещалов, “О гарпунном канале образования эксимерных молекул в электроразрядном XeCl-лазере”, Квантовая электроника, 15:2 (1988), 285–288 [Sov J Quantum Electron, 18:2 (1988), 180–182]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11468
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i2/p285
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024