|
Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 2, страницы 283–285
(Mi qe11467)
|
|
|
|
Лазеры
Ресурсные характеристики гетеролазеров коротковолнового диапазона на основе гетероструктур GalnAsP/lnP
Д. Ахмедов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев Физико-технический институт им. С. У. Умарова АН ТаджССР, Душанбе
Аннотация:
Проведены ресурсные испытания полосковых гетеролазеров и .гетеролазеров с широким контактом на основе гетероструктур GalnAsP/lnP, работающих в спектральном диапазоне 1,06 – 1,1 мкм при комнатной температуре. В спонтанном режиме полосковые диоды испытывались при температурах теплоотвода 20, 40, 60 и 70 °С. Энергия активации деградационного процесса оценена равной 0,65 эВ. В непрерывном
режиме полосковые гетеролазеры испытывались в течение 420 ч при 50 °С, что эквивалентно наработке 4,6 · 103 ч при комнатной температуре. Импульсные гетеролазеры испытывались при 80 °С в течение 400 – 600 ч. Эквивалентное время наработки при комнатной температуре для них равно (3,2 – 4,8) · 104 ч. Прогноз ресурса работы излученных гетероструктур составляет (5 – 9,4) · 104 и 3 · 104 ч для импульсных и непрерывных гетеролазеров соответственно.
Поступила в редакцию: 17.06.1987
Образец цитирования:
Д. Ахмедов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Ресурсные характеристики гетеролазеров коротковолнового диапазона на основе гетероструктур GalnAsP/lnP”, Квантовая электроника, 15:2 (1988), 283–285 [Sov J Quantum Electron, 18:2 (1988), 178–180]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe11467 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i2/p283
|
|