Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1988, том 15, номер 2, страницы 283–285 (Mi qe11467)  

Лазеры

Ресурсные характеристики гетеролазеров коротковолнового диапазона на основе гетероструктур GalnAsP/lnP

Д. Ахмедов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев

Физико-технический институт им. С. У. Умарова АН ТаджССР, Душанбе
Аннотация: Проведены ресурсные испытания полосковых гетеролазеров и .гетеролазеров с широким контактом на основе гетероструктур GalnAsP/lnP, работающих в спектральном диапазоне 1,06 – 1,1 мкм при комнатной температуре. В спонтанном режиме полосковые диоды испытывались при температурах теплоотвода 20, 40, 60 и 70 °С. Энергия активации деградационного процесса оценена равной 0,65 эВ. В непрерывном режиме полосковые гетеролазеры испытывались в течение 420 ч при 50 °С, что эквивалентно наработке 4,6 · 103 ч при комнатной температуре. Импульсные гетеролазеры испытывались при 80 °С в течение 400 – 600 ч. Эквивалентное время наработки при комнатной температуре для них равно (3,2 – 4,8) · 104 ч. Прогноз ресурса работы излученных гетероструктур составляет (5 – 9,4) · 104 и 3 · 104 ч для импульсных и непрерывных гетеролазеров соответственно.
Поступила в редакцию: 17.06.1987
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1988, Volume 18, Issue 2, Pages 178–180
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1988v018n02ABEH011467
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.826.038.825.4
PACS: 42.55.Px, 42.70.Hj, 42.60.Jf


Образец цитирования: Д. Ахмедов, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Ресурсные характеристики гетеролазеров коротковолнового диапазона на основе гетероструктур GalnAsP/lnP”, Квантовая электроника, 15:2 (1988), 283–285 [Sov J Quantum Electron, 18:2 (1988), 178–180]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11467
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v15/i2/p283
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024