|
Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 7, страницы 1403–1408
(Mi qe11418)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Применение перестраиваемого по частоте инжекционного лазера на GaAs для оптико-акустического детектирования поглощения молекул фтористого водорода
В. Б. Анзинab, М. В. Глушковab, В. П. Жаровab, Ю. В. Косичкинab, В. О. Шайдуровab, А. М. Широковab a Институт спектроскопии АН СССР
b Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР
Аннотация:
Рассматривается применение перестраиваемого по частоте импульсного инжекционного лазера на GaAs для измерения слабых полос поглощения молекул. Перестройка по частоте осуществляется изменением величины гидростатического давления и тока. Чувствительность примененного для регистрации поглощения оптико-акустического детектора равна 2,5·10–12 Дж·см–1, что позволяет при энергии в импульсе 10–8–10–6 Дж регистрировать поглощение в газах на уровне 10–3–10–5 см–1. Приводятся результаты экспериментальных измерений второго обертона молекул HF.
Поступила в редакцию: 22.11.1974
Образец цитирования:
В. Б. Анзин, М. В. Глушков, В. П. Жаров, Ю. В. Косичкин, В. О. Шайдуров, А. М. Широков, “Применение перестраиваемого по частоте инжекционного лазера на GaAs для оптико-акустического детектирования поглощения молекул фтористого водорода”, Квантовая электроника, 2:7 (1975), 1403–1408 [Sov J Quantum Electron, 5:7 (1975), 754–756]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe11418 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v2/i7/p1403
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 124 | PDF полного текста: | 66 |
|