Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 7, страницы 1395–1399 (Mi qe11416)  

Параметрические процессы в системе трехуровневых атомов

Г. Г. Адонц, Л. М. Кочарян, Н. В. Шахназарян

Ереванский Государственный университет
Аннотация: Теоретически исследованы четырехфотонные параметрические взаимодействия, возникающие в среде, состоящей из трехуровневых атомов. Наличие третьего уровня, связанного с дуплетностью расщепления возбужденного состояния, приводит к новым областям экспоненциального параметрического усиления. Исследовано изменение коэффициента и областей усиления при перестройке частоты сильного поля.
Поступила в редакцию: 19.11.1974
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, Volume 5, Issue 7, Pages 749–752
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1975v005n07ABEH011416
Тип публикации: Статья
УДК: 538.566
PACS: 42.65.


Образец цитирования: Г. Г. Адонц, Л. М. Кочарян, Н. В. Шахназарян, “Параметрические процессы в системе трехуровневых атомов”, Квантовая электроника, 2:7 (1975), 1395–1399 [Sov J Quantum Electron, 5:7 (1975), 749–752]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11416
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v2/i7/p1395
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:125
    PDF полного текста:69
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024