|
Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 5, страницы 1080–1084
(Mi qe11355)
|
|
|
|
Исследование инжекционных гетеролазеров видимого диапазона на основе AlxGa1–xAs
Р. Алтынбаевabc, Л. М. Долгиновabc, Л. В. Дружининаabc, П. Г. Елисеевabc, И. Исмаиловabc, Н. Шохуджаевabc a Физико-технический институт им. С. У. Умарова, АН Тадж. ССР, Душанбе
b Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности, Москва
c Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Проведены исследования спектральных, пороговых, мощностных и временных характеристик лазерных диодов с плоской и полосковой геометрией на основе двойных гетероструктур в системе твердых растворов AlxGa1–xAs. Гетеролазеры с молярной долей арсенида алюминия в активной области 0,2 имели пороговые плотности тока 0,9 кА/см2 при 77 K и 6 кА/см2 при 300 K. Показана зависимость пороговых плотностей тока в гетеролазерах от состава твердого раствора в активной области. Выходная мощность излучения достигала 8,2 Вт при 77 K и 3,6 Вт при 300 K, при этом дифференциальная эффективность была 0,5 и 0,22 соответственно. В полосковых гетеролазерах выходная мощность в импульсе составляла 0,75 Вт, а дифференциальная эффективность 0,26 при 77 K. В исследованных гетеродиодах проведены оценки времен жизни электронно-дырочных пар в режиме спонтанного и когерентного излучений при 77 и 300 K.
Поступила в редакцию: 12.11.1975
Образец цитирования:
Р. Алтынбаев, Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Исследование инжекционных гетеролазеров видимого диапазона на основе AlxGa1–xAs”, Квантовая электроника, 3:5 (1976), 1080–1084 [Sov J Quantum Electron, 6:5 (1976), 577–579]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe11355 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v3/i5/p1080
|
|