Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 5, страницы 1080–1084 (Mi qe11355)  

Исследование инжекционных гетеролазеров видимого диапазона на основе AlxGa1–xAs

Р. Алтынбаевabc, Л. М. Долгиновabc, Л. В. Дружининаabc, П. Г. Елисеевabc, И. Исмаиловabc, Н. Шохуджаевabc

a Физико-технический институт им. С. У. Умарова, АН Тадж. ССР, Душанбе
b Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности, Москва
c Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация: Проведены исследования спектральных, пороговых, мощностных и временных характеристик лазерных диодов с плоской и полосковой геометрией на основе двойных гетероструктур в системе твердых растворов AlxGa1–xAs. Гетеролазеры с молярной долей арсенида алюминия в активной области 0,2 имели пороговые плотности тока 0,9 кА/см2 при 77 K и 6 кА/см2 при 300 K. Показана зависимость пороговых плотностей тока в гетеролазерах от состава твердого раствора в активной области. Выходная мощность излучения достигала 8,2 Вт при 77 K и 3,6 Вт при 300 K, при этом дифференциальная эффективность была 0,5 и 0,22 соответственно. В полосковых гетеролазерах выходная мощность в импульсе составляла 0,75 Вт, а дифференциальная эффективность 0,26 при 77 K. В исследованных гетеродиодах проведены оценки времен жизни электронно-дырочных пар в режиме спонтанного и когерентного излучений при 77 и 300 K.
Поступила в редакцию: 12.11.1975
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1976, Volume 6, Issue 5, Pages 577–579
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1976v006n05ABEH011355
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.35
PACS: 42.60.Jf


Образец цитирования: Р. Алтынбаев, Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, П. Г. Елисеев, И. Исмаилов, Н. Шохуджаев, “Исследование инжекционных гетеролазеров видимого диапазона на основе AlxGa1–xAs”, Квантовая электроника, 3:5 (1976), 1080–1084 [Sov J Quantum Electron, 6:5 (1976), 577–579]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11355
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v3/i5/p1080
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024