|
Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 1, страницы 45–48
(Mi qe1134)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)
Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма
Особенности плазменной экранировки при абляционном формировании глубоких каналов высокоинтенсивным лазерным излучением
С. В. Гарновa, С. М. Климентовa, В. И. Коновb, Т. В. Кононенкоb, Ф. Даусингерc a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Центр естественно-научных исследований Института общей физики РАН, Москва
c Institut für Strahlwerkzeuge, Universität Stuttgart, Germany
Аннотация:
Измерение скоростей лазерного травления различных материалов интенсивным (до 1014 Вт/см2) импульсным излучением продемонстрировало существенное снижение эффективности травления при формировании глубоких аблированных каналов. Измерены оптические характеристики образующегося плазменно-парового факела. На основании этих измерений и численных оценок предложены два возможных физических механизма дополнительной экранировки, вызванной взаимодействием со стенками канала: ограничение радиального разлета плазмы и увеличение ее плотности за счет испарения материала стенок переизлучением плазменной области.
Поступила в редакцию: 01.08.1997
Образец цитирования:
С. В. Гарнов, С. М. Климентов, В. И. Конов, Т. В. Кононенко, Ф. Даусингер, “Особенности плазменной экранировки при абляционном формировании глубоких каналов высокоинтенсивным лазерным излучением”, Квантовая электроника, 25:1 (1998), 45–48 [Quantum Electron., 28:1 (1998), 42–45]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1134 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v25/i1/p45
|
|