Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1998, том 25, номер 1, страницы 45–48 (Mi qe1134)  

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Особенности плазменной экранировки при абляционном формировании глубоких каналов высокоинтенсивным лазерным излучением

С. В. Гарновa, С. М. Климентовa, В. И. Коновb, Т. В. Кононенкоb, Ф. Даусингерc

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Центр естественно-научных исследований Института общей физики РАН, Москва
c Institut für Strahlwerkzeuge, Universität Stuttgart, Germany
Аннотация: Измерение скоростей лазерного травления различных материалов интенсивным (до 1014 Вт/см2) импульсным излучением продемонстрировало существенное снижение эффективности травления при формировании глубоких аблированных каналов. Измерены оптические характеристики образующегося плазменно-парового факела. На основании этих измерений и численных оценок предложены два возможных физических механизма дополнительной экранировки, вызванной взаимодействием со стенками канала: ограничение радиального разлета плазмы и увеличение ее плотности за счет испарения материала стенок переизлучением плазменной области.
Поступила в редакцию: 01.08.1997
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1998, Volume 28, Issue 1, Pages 42–45
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1998v028n01ABEH001134
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.62.Cf, 52.40.Hf, 52.40.Nk


Образец цитирования: С. В. Гарнов, С. М. Климентов, В. И. Конов, Т. В. Кононенко, Ф. Даусингер, “Особенности плазменной экранировки при абляционном формировании глубоких каналов высокоинтенсивным лазерным излучением”, Квантовая электроника, 25:1 (1998), 45–48 [Quantum Electron., 28:1 (1998), 42–45]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1134
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v25/i1/p45
  • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    1. S. B. Mikhailov, S. G. Gorny, A. N. Sharikov, Inorg. Mater. Appl. Res., 15:3 (2024), 606  crossref
    2. Bazzal Kh. Alekseenko N.A. Voropay E.S. Kovalenko M.N. Trinh N.H. Zazhogin A.P., J. Appl. Spectrosc., 88:1 (2021), 85–91  crossref  isi
    3. Bazzal Kh. Alekseenko N.A. Voropay E.S. Kovalenko M.N. Patapovich M.P. Zazhogin A.P., J. Appl. Spectrosc., 88:2 (2021), 274–282  crossref  isi
    4. Bazzal Kh. Alekseenko N.A. Voropay E.S. Kovalenko M.N. Patapovich M.P. Zazhogin A.P., Phys. Chem. Aspects Study Clusters Nanostruct. Nanomater., 2020, no. 12, 516–524  crossref  isi
    5. Bazzal K., Voropay E.S., Zajogin A.P., Patapovich M.P., Phys. Chem. Aspects Study Clusters Nanostruct. Nanomater., 2019, no. 11, 48–56  crossref  isi
    6. Bazzal K. Voropay E.S. Zajogin A.P. Patapovich M.P., Phys. Chem. Aspects Study Clusters Nanostruct. Nanomater., 2019, no. 11, 57–64  crossref  isi
    7. В. В. Кононенко, В. И. Конов, Квантовая электроника, 48:1 (2018), 40–44  mathnet  elib; Quantum Electron., 48:1 (2018), 40–44  crossref  isi
    8. Yin K., Wang C., Dong X., Song Yu., Duan Ji'an, Appl. Phys. A-Mater. Sci. Process., 122:8 (2016)  crossref  zmath  isi  elib  scopus
    9. Tokarev V.N. Cheshev E.A. Bezotosnyi V.V. Khomich V.Yu. Mikolutskiy S.I. Vasil'yeva N.V., Laser Phys., 25:5 (2015), 056003  crossref  isi  elib  scopus
    10. Jiang L., Fang J., Cao Q., Zhang K., Wang P., Yu Ya., Huang Q., Lu Y., Appl. Optics, 53:31 (2014), 7290–7295  crossref  isi  scopus
    11. V. N. Tokarev, V. A. Shmakov, V. A. Yamschikov, R. R. Khasaya, S. I. Mikolutskiy, V. Yu. Khomich, International Congress on Applications of Lasers & Electro-Optics, 2010, 966  crossref
    12. Y. Matsuoka, Y. Kizuka, T. Inoue, Appl. Phys. A, 84:4 (2006), 423  crossref
    13. Makoto HIRASAWA, Yoshihiko MATSUOKA, Yuko KIZUKA, Takashi INOUE, rle, 34:1 (2006), 57  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:253
    PDF полного текста:123
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025