В. А. Гайслер, А. Ф. Кравченко, В. Ф. Соловьев, А. С. Терехов, “О возможности создания элементов оптической памяти на основе МДП-структур из GaAs”, Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2495–2497 [Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1410

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 11, страницы 2495–2497 (Mi qe11339)

Краткие сообщения

О возможности создания элементов оптической памяти на основе МДП-структур из GaAs

В. А. Гайслер, А. Ф. Кравченко, В. Ф. Соловьев, А. С. Терехов

Институт физики полупроводников СО АН СССР, Новосибирск

PDF полного текста (558 kB)

Аннотация: Исследована возможность создания оптических элементов памяти на GaAs МДП-структурах. Рассмотрен способ хранения информации в МДП-структурах, в основе которого лежит не захват заряда состояниями диэлектрика, а конечное время релаксации неравновесной области пространственного заряда. Приведены спектральные и временные зависимости контрастности структуры. Исследованные структуры обладали временем хранения информации ~ 10 мс. На основании экспериментальных данных сделан вывод о возможности создания оптических оперативно запоминающих устройств на МДП-структурах из GaAs.

Поступила в редакцию: 14.03.1978

Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, Volume 8, Issue 11, Pages 1410–1411
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1978v008n11ABEH011339

Тип публикации: Статья

УДК: 681.327.68

PACS: 42.30.Nt

Образец цитирования: В. А. Гайслер, А. Ф. Кравченко, В. Ф. Соловьев, А. С. Терехов, “О возможности создания элементов оптической памяти на основе МДП-структур из GaAs”, Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2495–2497 [Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1410–1411]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe11339

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i11/p2495

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	106
PDF полного текста:	54

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы