| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Краткие сообщения Высокоэффективные светодиоды на основе GalnPAs/lnP Л. М. Долгиновab, А. Е. Дракинab, П. Г. Елисеевab, Т. В. Бердниковаab, М. Г. Мильвидскийab, В. П. Орловab, Ю. К. Пантелеевab, Б. Н. Свердловab, Е. Г. Шевченкоab a Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности, Москва b Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, Volume 8, Issue 11, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE1978v008n11ABEH011335 
Образец цитирования: Л. М. Долгинов, А. Е. Дракин, П. Г. Елисеев, Т. В. Бердникова, М. Г. Мильвидский, В. П. Орлов, Ю. К. Пантелеев, Б. Н. Свердлов, Е. Г. Шевченко, “Высокоэффективные светодиоды на основе GalnPAs/lnP”, Квантовая электроника, 5:11 (1978), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|