Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 6, страницы 1190–1195 (Mi qe11303)  
Индикатриса гиперкомбинационного рассеяния на внутримолекулярных колебаниях

Ю. Д. Заворотнев, Л. Н. Овандер

Донецкий физико-технический институт АН СССР
PDF полного текста (807 kB)
Аннотация: Исследовано явление гиперкомбинационного рассеяния (ГКР) в кристаллах с центром инверсии с образованием внутримолекулярного колебания. Показано, что вклад в тензор ГКР вносят слагаемые третьего порядка, которые следует учитывать во втором порядке теории возмущений. Найдены формулы для индикатрисы рассеяния на примере групп Oh и C4h, построены графики индикатрисы в некоторых частных случаях.
Поступила в редакцию: 12.11.1974
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, Volume 5, Issue 6, Pages 644–647
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1975v005n06ABEH011303
Тип публикации: Статья
УДК: 535.375.56
PACS: 78.30.G, 42.65.D


Образец цитирования: Ю. Д. Заворотнев, Л. Н. Овандер, “Индикатриса гиперкомбинационного рассеяния на внутримолекулярных колебаниях”, Квантовая электроника, 2:6 (1975), 1190–1195 [Sov J Quantum Electron, 5:6 (1975), 644–647]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11303
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v2/i6/p1190
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024