Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 5, страницы 1098–1101 (Mi qe11286)  

Краткие сообщения

Обобщение формулы Рамзея для вероятности перехода в методе раздельных осциллирующих полей

Э. И. Алексеев, Е. Н. Базаров

Институт радиотехники и электроники АН СССР
Аннотация: Получено общее выражение для формы линии при индикации перехода в пучке двухуровневых молекул, взаимодействующем с m ≥ 1 раздельными осциллирующими полями. Показано, что при m > 2 оказываются подавленными m – 2 ближайших к центральному боковых максимума рамзеевской линии.
Поступила в редакцию: 26.10.1974
Исправленный вариант: 30.01.1975
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, Volume 5, Issue 5, Pages 602–603
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1975v005n05ABEH011286
Тип публикации: Статья
УДК: 621.373.8.001.5
PACS: 42.50.


Образец цитирования: Э. И. Алексеев, Е. Н. Базаров, “Обобщение формулы Рамзея для вероятности перехода в методе раздельных осциллирующих полей”, Квантовая электроника, 2:5 (1975), 1098–1101 [Sov J Quantum Electron, 5:5 (1975), 602–603]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11286
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v2/i5/p1098
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:120
    PDF полного текста:49
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024