Температурная зависимость порога и механизмы лазерной генерации монокристаллов CdS при однофотонном возбуждении

В интервале температур 4,2 K≤T≤300 K измерены температурные зависимости интенсивности возбуждения I_п, соответствующей порогу лазерной генерации, для монокристаллов CdS с различным уровнем потерь при однофотонной накачке излучением азотного лазера. Обнаружен немонотонный ход функции I_п(Т). Анализ полученных зависимостей I_п(Т) с привлечением имеющихся теоретических работ и сопоставление с экспериментальными и расчетными допороговыми спектрами излучения указывают на то, что в условиях эксперимента имеют место конкуренция и смена с температурой трех механизмов генерации: экситон-фононного, экситон-экситонного и экситон-электронного неупругого рассеяний. В частности, зарегистрированный на определенных участках спад I_п при росте температуры можно связывать со спектральным вырождением двух (трех) названных механизмов.