|
Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 5, страницы 1058–1062
(Mi qe11200)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Влияние несовершенств кристаллического строения арсенида галлия на параметры лазеров с электронным возбуждением
О. Н. Григорьев, И. В. Гриднева, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Ю. В. Мильман, С. И. Чугунова Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений
Аннотация:
Исследовались параметры лазерного излучения при электронном возбуждении монокристаллов арсенида галлия, полученных различными способами. Установлена корреляция между излучательными характеристиками лазеров
и степенью структурного совершенства кристаллов, определяемого рентгенографическими методами. Высокая эффективность и однородность лазерного излучения образцов, полученных методов направленной кристаллизации, рассматривается как результат значительного улучшения совершенства их кристаллического строения.
Поступила в редакцию: 24.10.1974
Образец цитирования:
О. Н. Григорьев, И. В. Гриднева, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Ю. В. Мильман, С. И. Чугунова, “Влияние несовершенств кристаллического строения арсенида галлия на параметры лазеров с электронным возбуждением”, Квантовая электроника, 2:5 (1975), 1058–1062 [Sov J Quantum Electron, 5:5 (1975), 577–579]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe11200 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v2/i5/p1058
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 117 | PDF полного текста: | 63 |
|