Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 5, страницы 1055–1058 (Mi qe11197)  

Краткие сообщения

Эффект насыщения при резонансных переходах между мультиплетными уровнями

Б. А. Зон, Б. Г. Кацнельсон, В. Я. Купершмидт

Воронежский государственный университет им. Ленинского комсомола
Аннотация: Показано, что зависимость вероятности вынужденного поглощения от интенсивности внешнего поля не является монотонной, если резонируют не два изолированных уровня, а две группы близко расположенных уровней. Рассмотрены примеры резонансного взаимодействия дублетных атомных уровней.
Поступила в редакцию: 10.10.1974
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, Volume 5, Issue 5, Pages 575–577
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1975v005n05ABEH011197
Тип публикации: Статья
УДК: 539.184.2
PACS: 42.65.


Образец цитирования: Б. А. Зон, Б. Г. Кацнельсон, В. Я. Купершмидт, “Эффект насыщения при резонансных переходах между мультиплетными уровнями”, Квантовая электроника, 2:5 (1975), 1055–1058 [Sov J Quantum Electron, 5:5 (1975), 575–577]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11197
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v2/i5/p1055
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:114
    PDF полного текста:57
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024