|
Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 5, страницы 1050–1054
(Mi qe11195)
|
|
|
|
Индуцированное излучение кристаллов иттрий-алюминиевого граната с неодимом при накачке инжекционными лазерами
В. И. Билак, Н. Р. Докучаев, А. М. Онищенко, В. А. Пашков, А. И. Петров, М. Ф. Стельмах, Н. П. Черноусов
Аннотация:
Описывается работа ОКГ с активным элементом из иттрий-алюминиевого граната, легированного ионами Nd3+, при возбуждении излучением импульсных инжекционных ПКГ на длине волны 0,81 и 0,88 мкм. Накачка осуществлялась в торец активного элемента. При комнатной температуре пороги генерации для кристаллов размерами Ø1×20 мм и Ø2×20 мм составляли 1·10–4 и 3,7·10–4 Дж соответственно. В экспериментах получено двухкратное превышение над порогом. Генерация ионов Nd3+ носила пичковый характер, длительность пичка не превышала 1 мкс, мощность в пичке достигала 100 мВт.
Поступила в редакцию: 20.01.1975
Образец цитирования:
В. И. Билак, Н. Р. Докучаев, А. М. Онищенко, В. А. Пашков, А. И. Петров, М. Ф. Стельмах, Н. П. Черноусов, “Индуцированное излучение кристаллов иттрий-алюминиевого граната с неодимом при накачке инжекционными лазерами”, Квантовая электроника, 2:5 (1975), 1050–1054 [Sov J Quantum Electron, 5:5 (1975), 572–574]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe11195 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v2/i5/p1050
|
|