Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1974, том 1, номер 8, страницы 1880–1882 (Mi qe11162)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Краткие сообщения

Селективное возбуждение волноводных мод и измерение параметров пленочных гетероструктур на основе AlxGa1–xAs–GaAs для целей интегральной оптики

Ю. А. Быковский, А. В. Маковкин, В. Л. Смирнов

Московский инженерно-физический институт
Поступила в редакцию: 28.02.1974
Исправленный вариант: 10.04.1974
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, Volume 4, Issue 8, Pages 1050–1051
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1975v004n08ABEH011162
Тип публикации: Статья
УДК: 621.372.8:535
PACS: 42.82.Et, 42.79.Bh, 42.79.Wc, 42.60.Lh


Образец цитирования: Ю. А. Быковский, А. В. Маковкин, В. Л. Смирнов, “Селективное возбуждение волноводных мод и измерение параметров пленочных гетероструктур на основе AlxGa1–xAs–GaAs для целей интегральной оптики”, Квантовая электроника, 1:8 (1974), 1880–1882 [Sov J Quantum Electron, 4:8 (1975), 1050–1051]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11162
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v1/i8/p1880
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:99
    PDF полного текста:57
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024