|
Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 4, страницы 826–830
(Mi qe11115)
|
|
|
|
Краткие сообщения
Согласование излучения полупроводникового лазера на GaAs пленочными волноводными структурами на основе (AlGa) As
Ю. А. Быковский, А. В. Маковкин, В. Л. Смирнов, А. В. Шмалько Московский инженерно-физический институт
Аннотация:
Проведены исследования эффективности ввода излучения GaAs-лазера в пленочный (AlGa) As-волновод в зависимости от параметров призменно-пленочного устройства связи. Экспериментально осуществлен ввод излучения полупроводникового лазера в пленочный полупроводниковый волновод.
Поступила в редакцию: 11.07.1974 Исправленный вариант: 24.09.1974
Образец цитирования:
Ю. А. Быковский, А. В. Маковкин, В. Л. Смирнов, А. В. Шмалько, “Согласование излучения полупроводникового лазера на GaAs пленочными волноводными структурами на основе (AlGa) As”, Квантовая электроника, 2:4 (1975), 826–830 [Sov J Quantum Electron, 5:4 (1975), 458–460]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe11115 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v2/i4/p826
|
|