Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 10, страницы 2291–2293 (Mi qe11061)  

Краткие сообщения

О влиянии формы импульса излучения накачки на уровень запасенной энергии в усилителях на неодимовом стекле

В. Н. Алексеев, Е. Г. Бордачев, С. А. Вицинский, В. И. Кулаков, В. Н. Рыбин, А. Д. Стариков
Аннотация: Методом усиления слабого сигнала моноимпульсного лазера исследовано влияние формы импульса излучения ламп накачки на уровень инверсной населенности в усилителе на неодимовом стекле марки ГЛС 1. Показано, что использование несимметричного импульса с преимущественно нарастающей во времени интенсивностью является энергетически более выгодным (на 15–25%), чем накачка колоколообразными импульсами. Приведены схемы формирования несимметричных импульсов излучения.
Поступила в редакцию: 14.02.1978
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, Volume 8, Issue 10, Pages 1291–1292
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1978v008n10ABEH011061
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.325
PACS: 42.55.Rz


Образец цитирования: В. Н. Алексеев, Е. Г. Бордачев, С. А. Вицинский, В. И. Кулаков, В. Н. Рыбин, А. Д. Стариков, “О влиянии формы импульса излучения накачки на уровень запасенной энергии в усилителях на неодимовом стекле”, Квантовая электроника, 5:10 (1978), 2291–2293 [Sov J Quantum Electron, 8:10 (1978), 1291–1292]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11061
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i10/p2291
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025