|
Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 12, страницы 1137–1144
(Mi qe1106)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 20 научных статьях (всего в 20 статьях)
Лазерная активация и металлизация диэлектриков
Г. А. Шафеев Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва, Российская Федерация
Аннотация:
Рассмотрена двухэтапная металлизация поверхности диэлектриков. Лазерная абляция поверхности ряда диэлектриков (этап активации) приводит к возникновению на облучаемой поверхности каталитических центров, способных восстанавливать металлы (этап осаждения) из специальных растворов. В процессе автокаталитического осаждения металл распространяется на всю аблированную поверхность. Приведен обзор экспериментальных данных о лазерной активации Al2O3, SiC, алмаза, ZrO2 и других диэлектриков. Активация поверхности наблюдается в широком диапазоне длин волн лазерного излучения и сохраняется в течение длительного времени, позволяя осуществлять осаждение ряда металлов (Cu, Ni, Pt, Pd и др.) с пространственным разрешением порядка нескольких микрометров. Рассмотрена модель процесса, в соответствии с которой лазерная активация обусловлена модификацией запрещенной зоны диэлектрика в результате абляции и появлением ненулевой плотности электронных состояний вблизи потенциала восстановления металла. В свою очередь это может быть связано с формированием в диэлектрике точечных дефектов (например, F-центров в случае Al2O3 и ZrO2) либо с изгибом зон в поле механических напряжений, оставшихся в материале после абляции. Данные по активации диэлектриков путем механической индентации находятся в качественном согласии с предложенной моделью.
Поступила в редакцию: 20.05.1997
Образец цитирования:
Г. А. Шафеев, “Лазерная активация и металлизация диэлектриков”, Квантовая электроника, 24:12 (1997), 1137–1144 [Quantum Electron., 27:12 (1997), 1104–1110]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1106 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v24/i12/p1137
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 402 | PDF полного текста: | 358 |
|