Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1997, том 24, номер 12, страницы 1137–1144 (Mi qe1106)  

Эта публикация цитируется в 20 научных статьях (всего в 20 статьях)

Лазерная активация и металлизация диэлектриков

Г. А. Шафеев

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва, Российская Федерация
Аннотация: Рассмотрена двухэтапная металлизация поверхности диэлектриков. Лазерная абляция поверхности ряда диэлектриков (этап активации) приводит к возникновению на облучаемой поверхности каталитических центров, способных восстанавливать металлы (этап осаждения) из специальных растворов. В процессе автокаталитического осаждения металл распространяется на всю аблированную поверхность. Приведен обзор экспериментальных данных о лазерной активации Al2O3, SiC, алмаза, ZrO2 и других диэлектриков. Активация поверхности наблюдается в широком диапазоне длин волн лазерного излучения и сохраняется в течение длительного времени, позволяя осуществлять осаждение ряда металлов (Cu, Ni, Pt, Pd и др.) с пространственным разрешением порядка нескольких микрометров. Рассмотрена модель процесса, в соответствии с которой лазерная активация обусловлена модификацией запрещенной зоны диэлектрика в результате абляции и появлением ненулевой плотности электронных состояний вблизи потенциала восстановления металла. В свою очередь это может быть связано с формированием в диэлектрике точечных дефектов (например, F-центров в случае Al2O3 и ZrO2) либо с изгибом зон в поле механических напряжений, оставшихся в материале после абляции. Данные по активации диэлектриков путем механической индентации находятся в качественном согласии с предложенной моделью.
Поступила в редакцию: 20.05.1997
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1997, Volume 27, Issue 12, Pages 1104–1110
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1997v027n12ABEH001106
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.62.Cf, 81.15.Fg, 61.80.Ba


Образец цитирования: Г. А. Шафеев, “Лазерная активация и металлизация диэлектриков”, Квантовая электроника, 24:12 (1997), 1137–1144 [Quantum Electron., 27:12 (1997), 1104–1110]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1106
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v24/i12/p1137
  • Эта публикация цитируется в следующих 20 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:390
    PDF полного текста:348
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024