Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1978, том 5, номер 10, страницы 2104–2109 (Mi qe11033)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

О возможном механизме релаксации по вращательным подуровням молекул в условиях насыщения колебательно-вращательного перехода

М. М. Мкртчян, В. Т. Платоненко

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Аннотация: Рассмотрена вращательная релаксация в молекулярной системе в условиях насыщения колебательно-вращательного перехода. Показано, что для молекул, обладающих большими дипольными моментами колебательных переходов, вращательная релаксация обусловлена не «ударным» механизмом, а диполь-дипольным взаимодействием сталкивающихся молекул. На основании качественных соображений установлено, что в определенных условиях характер релаксации, обусловленной диполь-дипольным взаимодействием, может быть существенно недиффузионным. Проведена оценка сечения элементарного акта в предполагаемой модели релаксации для молекул NF3, CO2, CF4, SF6, UF6. Эти сечения существенно превышают газокинетические.
Поступила в редакцию: 12.09.1977
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1978, Volume 8, Issue 10, Pages 1187–1190
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1978v008n10ABEH011033
Тип публикации: Статья
УДК: 621.378.625
PACS: 34.50.Ez


Образец цитирования: М. М. Мкртчян, В. Т. Платоненко, “О возможном механизме релаксации по вращательным подуровням молекул в условиях насыщения колебательно-вращательного перехода”, Квантовая электроника, 5:10 (1978), 2104–2109 [Sov J Quantum Electron, 8:10 (1978), 1187–1190]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11033
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v5/i10/p2104
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:96
    PDF полного текста:53
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024