Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1975, том 2, номер 3, страницы 606–609 (Mi qe11018)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Краткие сообщения

Форма линии двухфотонного поглощения на переходе 1S–2S атома водорода

Е. В. Бакланов, В. П. Чеботаев

Институт физики полупроводников СО АН СССР
Аннотация: Исследована форма линии двухфотонного поглощения в водороде, свободной от допплеровского уширения первого порядка. Рассматривается возможность устранения квадратичного эффекта Допплера с помощью использования узкого пика второй производной формы линии. Показано, что при реально достижимой стабилизации температуры возможно получение воспроизводимости порядка 10–15.
Поступила в редакцию: 02.10.1974
Англоязычная версия:
Soviet Journal of Quantum Electronics, 1975, Volume 5, Issue 3, Pages 342–344
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1975v005n03ABEH011018
Тип публикации: Статья
УДК: 535.343.4
PACS: 32.10.D, 42.65.


Образец цитирования: Е. В. Бакланов, В. П. Чеботаев, “Форма линии двухфотонного поглощения на переходе 1S–2S атома водорода”, Квантовая электроника, 2:3 (1975), 606–609 [Sov J Quantum Electron, 5:3 (1975), 342–344]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe11018
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v2/i3/p606
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:147
    PDF полного текста:178
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024