|
Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 3, страницы 589–594
(Mi qe11009)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Центры окраски в кристаллах иттрий-алюминиевого и иттрий-эрбий-алюминиевого гранатов
Е. В. Жариков, В. И. Жеков, Т. М. Мурина, В. В. Осико, А. М. Прохоров, М. И. Тимошечкин Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
В кристаллах иттрий-эрбий-алюминиевого граната (ИЭГА) при работе лазера возникают центры окраски (ЦО) под действием света ламп накачки. Исследование неактивированных кристаллов иттрий-алюминиевого граната (ИАГ) показывает, что ЦО не связаны с введением ионов активатора, а присущи самой матрице. Наблюдается два типа ЦО, появление которых определяется условиями выращивания кристаллов. Окрашивание выращенных
кристаллов возрастает при облучении лампами накачки. Обнаружена корреляция рассеяния света в кристаллах с интенсивностью поглощения, обусловленной ЦО типа I.
Поступила в редакцию: 25.07.1975
Образец цитирования:
Е. В. Жариков, В. И. Жеков, Т. М. Мурина, В. В. Осико, А. М. Прохоров, М. И. Тимошечкин, “Центры окраски в кристаллах иттрий-алюминиевого и иттрий-эрбий-алюминиевого гранатов”, Квантовая электроника, 3:3 (1976), 589–594 [Sov J Quantum Electron, 6:3 (1976), 315–318]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe11009 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v3/i3/p589
|
|