|
Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 3, страницы 576–581
(Mi qe11002)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 29 научных статьях (всего в 29 статьях)
Инверсная населенность уровней Al XI в лазерной плазме
Э. Я. Кононов, К. Н. Кошелев, Ю. А. Левыкин, Ю. В. Сидельников, C. C. Чурилов Институт спектроскопии АН СССР, Москва
Аннотация:
Экспериментально установлено наличие инверсии на уровнях с n = 4,5 по отношению к уровню n = 3 иона Al XI в рекомбинирующей лазерной плазме на расстояниях ~50–500 мкм от поверхности мишени. Относительная населенность уровней определялась по интенсивностям линий серии переходов 2p–nd Al XI c учетом их самопоглощения. Отношение населенностей уровней 4d и 3d составляет в плотной зоне плазмы с Nl ~1020 см–3 величину ~1,8, что соответствует инверсии ΔN~1015 см–3. Коэффициент усиления в этой области плазмы для линии 3d–4f Al XI (λ ≈ 154 Å) согласно оценкам равен 0,1 см–1. Определен ход рекомбинации He-подобных ионов Al XI и изменение электронной температуры в зависимости от расстояния до поверхности мишени.
Поступила в редакцию: 01.09.1975
Образец цитирования:
Э. Я. Кононов, К. Н. Кошелев, Ю. А. Левыкин, Ю. В. Сидельников, C. C. Чурилов, “Инверсная населенность уровней Al XI в лазерной плазме”, Квантовая электроника, 3:3 (1976), 576–581 [Sov J Quantum Electron, 6:3 (1976), 308–311]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe11002 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v3/i3/p576
|
|